时间：2023年5月29日（星期一）15:10
地点：腾讯会议985 430 118
讲座主题：第三代半导体SiC材料性质、制备、技术进展及产业化进展
讲座介绍：简要汇报第三代半导体SiC材料的结构和性质、制备技术、市场及产业化进展。阐明第一、二、三代半导体之间的区别和联系，继而从SiC材料的结构和性质展开，介绍SiC单晶材料的制备技术及常见缺陷控制技术，并阐述SiC单晶材料的未来发展趋势和方向，最后介绍SiC材料的产业链发展态势和国内外的市场应用情况。
主讲人：赵宁，深圳市重投天科半导体有限公司，生产总监，北京大学前沿工程博士生，高级工程师
2011年硕士毕业于中国地质大学(北京)。自2011年一直从事第三代半导体碳化硅单晶材料研究及产业化工作。入选或荣获北京市“科技新星”人才计划，北京市大兴区优秀青年，北京市大兴区优秀科技工作者。
近5年来，作为负责人分别主持了国家科技部重点研发计划课题“大尺寸导电SiC衬底制备产业化技术”、北京市科委“8英寸碳化硅单晶衬底制备技术研究”等项目，申请国内发明专利29项，国际发明专利7项，参与3项标准起草工作并已发布。
主持人：刘磊研究员
