时间:2023年5月29日(星期一)15:10
地点:腾讯会议985 430 118
讲座主题:第三代半导体SiC材料性质、制备、技术进展及产业化进展
讲座介绍:简要汇报第三代半导体SiC材料的结构和性质、制备技术、市场及产业化进展。阐明第一、二、三代半导体之间的区别和联系,继而从SiC材料的结构和性质展开,介绍SiC单晶材料的制备技术及常见缺陷控制技术,并阐述SiC单晶材料的未来发展趋势和方向,最后介绍SiC材料的产业链发展态势和国内外的市场应用情况。
主讲人:赵宁,深圳市重投天科半导体有限公司,生产总监,北京大学前沿工程博士生,高级工程师
2011年硕士毕业于中国地质大学(北京)。自2011年一直从事第三代半导体碳化硅单晶材料研究及产业化工作。入选或荣获北京市“科技新星”人才计划,北京市大兴区优秀青年,北京市大兴区优秀科技工作者。
近5年来,作为负责人分别主持了国家科技部重点研发计划课题“大尺寸导电SiC衬底制备产业化技术”、北京市科委“8英寸碳化硅单晶衬底制备技术研究”等项目,申请国内发明专利29项,国际发明专利7项,参与3项标准起草工作并已发布。
主持人:刘磊研究员